摘要: 用 3种烟煤与SiO2 在氮气保护下合成SiC ,发现烟煤可以作为碳源合成SiC ,但不同烟煤煤种合成产物差别很大 .研究表明 ,烟煤的挥发分含量及其焦炭的微观结构 (如孔隙率大小、气孔形貌和比表面积等 )是影响反应系统内物质生成的关键因素 .在 12 0 0～ 16 0 0℃温度范围内研究了 3种烟煤的挥发分含量和焦炭微观结构的差异及其对合成SiC反应体系的影响